特許

J-GLOBAL ID：200903022779666815

半導体素子の製造方法

発明者： 溝上 昭典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 高野 明近
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-232911
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068239
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体の製造時における、ダイシングによるチップの歪並びに汚れの除去を確実に行うこと。【解決手段】 粘着シート8上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングによりチップ分割する工程を含む半導体の製造方法において、粘着シート8を拡大して半導体チップ10間の間隔を拡げてからエッチングを行う。これによりチップ間にエッチング液が十分に浸透できるようにし、前記チップ分割の際に生ずるダイシング歪みを確実に除去し、その状態で前記チップの水洗、乾燥を行う。その際前記粘着シートの拡大率を最終出荷形態の拡大率と同等の拡大率まで拡大することにより、後工程における拡大工程を省略することができる。

請求項（抜粋）：

粘着シート上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングによりチップ分割する工程を含む半導体の製造方法において、前記分割した半導体ウエハを貼り付けた粘着シートを拡大してチップ間の間隔を拡げ、続いて前記チップ分割の際に生ずるダイシング歪みをエッチングにより除去する、各工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-108978
  
• 特開昭50-105074
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-181052   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社