特許

J-GLOBAL ID：200903022780799268

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 三津間 高志 ,  平野 健太郎
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303811
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162074
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 放射光の断面を円形に近づける。【構成】 活性層33の一端に、これを延長するように導波部34が形成され、導波部34は活性層33と同一材で成り、その厚さは活性層よりも厚く、幅は活性層より狭くされている。

請求項（抜粋）：

活性層の延長上において、その活性層に一端が接し、活性層よりも膜厚が厚く、幅が狭い導波部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。