特許
J-GLOBAL ID：200903022781141002
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157203
公開番号（公開出願番号）：特開平11-002580
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】低コストで防水性の高いゲージ圧式の半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体圧力センサ素子Aと、回路基板18とは筐体20内に納装されている。半導体圧力センサ素子Aは圧力導入管30aにOリング35を嵌挿して筐体20の圧力導入孔23aに挿入してある。被検知圧力は、圧力導入孔23aを通して半導体圧力センサ素子Aの受圧ダイフラムの一面にかかる。筐体20には、半導体圧力センサ素子Aの受圧ダイアフラムの他面側に連通する通気孔26が設けられている。また、筐体20には、通気孔26に対向する位置に略コ字形の防水用リブ28が突設されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に凹所を設けることによって形成された受圧ダイフラムに受ける圧力の大きさを電気信号に変換する半導体圧力センサ素子と、半導体圧力センサ素子と電気的に接続され前記電気信号を信号処理する回路が形成された回路基板と、少なくとも半導体圧力センサ素子及び回路基板を収納した筐体とを備えた半導体圧力センサであって、前記筐体に通気孔を設け、筐体の内側には該通気孔と対向する位置に防水用リブが突設されて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 19/14
, G01L 9/04 101
G01L 19/14
, G01L 9/04 101
