特許

J-GLOBAL ID：200903022786072734

半導体レーザー

発明者： 成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-350916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167182
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザーの大幅な低しきい値電流化を図る。【構成】 [011]方向に延びるメサ状凸部1aを主面に有する(100)面方位のn型GaAs基板1上にn型AlGaAsクラッド層3、活性層4及びp型AlGaAsクラッド層5をMOCVD法により順次エピタキシャル成長させることによりメサ状凸部1a上に三角柱状のレーザー共振器を形成する。次に、p型AlGaAsクラッド層5上にMOCVD法によりアンドープAlGaAsクラッド層6をエピタキシャル成長させる。このアンドープAlGaAsクラッド層6のうちレーザー共振器の頂上の直ぐ上の部分6aは成長時の炭素の取り込み量が多いことによりp型となり、レーザー共振器の直ぐ両側の部分6cは成長時の炭素の取り込み量が少ないことによりn型となる。レーザー発振を起こさせるために電極9及び電極10の間に流す電流をこのp型の部分6aにより極めて幅の狭い領域に絞ってレーザー共振器の活性層4に流す。

請求項（抜粋）：

〈011〉方向に延びるメサ状凸部をその主面に有する{100}面方位の化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板の上記メサ状凸部を有する上記主面上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層上に設けられたアンドープ化合物半導体層から成る第3のクラッド層とを具備する半導体レーザー。