特許
J-GLOBAL ID：200903022787543382
露光用マスクの欠陥修正方法、露光用マスク、露光方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158522
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347386
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】集束イオンビームを用いて黒欠陥を除去する際に生ずる光透過率低下の影響を排除する。【解決手段】露光光に対して透明な基板10から成り、該基板10に形成された複数の光透過領域から成る第1光透過領域群320と、該基板10に形成された別の複数の光透過領域から成る第2光透過領域群330とを有し、第1光透過領域群320を通過した露光光と第2光透過領域群330を通過した露光光との間に所定の位相差が生ずる露光用マスクの黒欠陥21を修正する露光用マスクの欠陥修正方法であって、(イ)光透過領域に残存した黒欠陥21を除去する工程と、(ロ)黒欠陥が残存していた光透過領域を含む光透過領域群を所定の深さにエッチングする工程から成る。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板から成り、該基板に形成された光透過領域と遮光領域とを有する露光用マスクの欠陥を修正する露光用マスクの欠陥修正方法であって、(イ)光透過領域に残存した欠陥を除去する工程と、(ロ)欠陥が残存していた光透過領域を所定の深さにエッチングする工程、から成ることを特徴とする露光用マスクの欠陥修正方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 V
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 W
2H095BB03
, 2H095BD32
, 2H095BD35
