特許
J-GLOBAL ID：200903022792213684
非晶質半導体太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280784
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129905
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】i型半導体層にp型半導体層のホウ素が混入せず、変換効率の向上をはかった非晶質太陽電池を提供すること。【解決手段】ガラス基板1上の透明導電膜2の上にp型a-SiC層3を形成し、その上に窒素を含むa-Si層からなるバリア層4を形成し、さらにi型a-Si層5、n型a-Si層6を形成し、その上に背面電極7と保護層8を形成した。
請求項（抜粋）：
透明基板上に透明電極、p型非晶質半導体層、i型非晶質半導体層、n型非晶質半導体層、背面電極を順次形成してなる非晶質半導体太陽電池において、前記p型非晶質半導体層と前記i型非晶質半導体層との間にV族元素を微量混入したバリア層をはさむことを特徴とする非晶質半導体太陽電池。
FI (3件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 W
, H01L 31/04 F
