特許

J-GLOBAL ID：200903022803188164

半導体装置

発明者： 中村 秀昭
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243597
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061456
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成された半導体回路から発生するノイズを遮断できる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、基板2上に形成された加速度センサ3と、導電性枠体7,絶縁性膜体10および導電性遮蔽膜体11とから構成される。加速度センサ3は、発振回路4と検出回路6とから構成される。導電性枠体7は、発振回路4と検出回路6の周囲をそれぞれ取囲むように基板2上に形成される。絶縁性膜体10は、発振回路4と検出回路6とを表面から覆うように形成される。また、絶縁性膜体10には導電性枠体7の形成位置に貫通溝10Aが形成される。導電性遮蔽膜体11は、絶縁性膜体10を覆うように設けられ、貫通溝10Aを介して導電性枠体7と電気的に導通した状態で一体的に形成される。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられた半導体回路と、該半導体回路の周囲を取囲むように前記基板上に設けられ導電性材料からなる導電性枠体と、前記半導体回路の表面を覆うように前記基板上に設けられ絶縁材料からなる絶縁性膜体と、該絶縁性膜体の表面を覆うように前記導電性枠体に接触した状態で前記基板上に設けられ導電性材料からなる導電性遮蔽膜体とから構成してなる半導体装置。

IPC (3件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 ,  H05K 9/00

FI (3件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A ,  H05K 9/00 R