特許
J-GLOBAL ID：200903022809605204
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302593
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における主として層間絶縁膜の形成方法に関するもので、その絶縁膜の段差被覆性(ステップカバレッジ)と誘電率の向上を図ることを目的とする。【構成】 本発明は、配線パターン2上に層間絶縁膜3を形成する方法として、フッ素(F)原子を含むエッチングガスを使用して、プラズマ化学気相成長法により、SiOx Fy なる組成の絶縁膜3を形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する方法として、フッ素原子を含むエッチングガスを用いて、プラズマ化学気相成長法により行ない、組成がSiOx Fy となる絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, H01L 21/31
