特許
J-GLOBAL ID：200903022809862258
半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179628
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007443
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 III-V族窒化物半導体よりなる半導体発光装置の電流狭窄構造を容易に且つ確実に実現できるようにする。【解決手段】 サファイアよりなる基板11上に、n型クラッド層14、n型光ガイド層15、多重量子井戸活性層16及びp型光ガイド層17を順次成長させる。その後、p型光ガイド層17上に全面にわたって膜厚が約0.1μmのSiO<SB>2 </SB>よりなる電流狭窄形成層18Aを堆積する。続いて、電流狭窄形成層18A上に、開口幅が約3μmのストライプ形状で、該ストライプが延びる方向がGaN結晶のほぼ<1-100>方向となる開口部を持つマスクパターン19Bを形成し、これを用いてウェットエッチングを行なうことにより、電流狭窄形成層18Aから開口部18aを持つ電流狭窄層18Bを形成する。続いて、p型光ガイド層17上に、p型クラッド層20を電流狭窄層18B上にも大きく広がるように成長させる。
請求項（抜粋）：
基板の上に、第1導電型の第1の窒化物半導体よりなる第1のクラッド層を形成する第1のクラッド層形成工程と、前記第1のクラッド層の上に第2の窒化物半導体よりなる活性層を形成する活性層形成工程と、前記活性層の上に薄膜部材を堆積した後、前記薄膜部材にストライプ状の開口部を形成することにより、前記開口部を持つ薄膜部材よりなり、前記活性層に注入されるキャリアの流れを規制するキャリアブロック層を形成するキャリアブロック層形成工程と、前記キャリアブロック層の上に第2導電型の第3の窒化物半導体よりなる第2のクラッド層を形成する第2のクラッド層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 665
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB04
, 5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB02
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073EA18
, 5F073EA23
