ブロック露光用透過マスクの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048852
公開番号（公開出願番号）：特開平5-249647
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ブロック露光用透過マスクの製造方法に関し、マスク部分でパターンを大きくすることなくマスク部分の強度を強くすることができ、マスク歪みによるパターンボケを生じ難くして露光精度を向上させることができるブロック露光用透過マスクの製造方法を提供することを目的とする。【構成】下層シリコン基板1に溝1aを形成する工程と、次いで、該溝1aが形成された該下層シリコン基板1表面を全面に渡って熱酸化してシリコン酸化膜2を形成する工程と、次いで、表面部分に該シリコン酸化膜2が形成された該溝1a内に補強用充填部材3を埋め込む工程と、次いで、該下層シリコン基板1と上層シリコン基板4を貼り合わせ接着する工程と、次いで、該上層シリコン基板4を薄膜化する工程と、次いで、該下層シリコン基板1裏面を開口した後、該上層シリコン基板4にマスクパターン4aを形成する工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

下層シリコン基板(1)に溝(1a)を形成する工程と、次いで、該溝(1a)が形成された該下層シリコン基板(1)表面を全面に渡って熱酸化してシリコン酸化膜(2)を形成する工程と、次いで、表面部分に該シリコン酸化膜(2)が形成された該溝(1a)内に補強用充填部材(3)を埋め込む工程と、次いで、該下層シリコン基板(1)と上層シリコン基板(4)を貼り合わせ接着する工程と、次いで、該上層シリコン基板(4)を薄膜化する工程と、次いで、該下層シリコン基板(1)裏面を開口した後、該上層シリコン基板(4)にマスクパターン(4a)を形成する工程とを含むことを特徴とするブロック露光用透過マスクの製造方法。

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