特許
J-GLOBAL ID：200903022810835620

絶縁性に優れたナノ結晶合金薄帯およびナノ結晶合金磁心ならびにナノ結晶合金薄帯の絶縁皮膜形成方法

発明者：
吉沢 克仁

吉沢 克仁 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180037
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045723
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 ナノ結晶合金に適する絶縁性に優れる最適な層間絶縁皮膜およびその形成方法を得る、また特に電子回路用の磁心に使用する場合に表面に形成された絶縁層が薄くても十分な絶縁性を有する層間絶縁被膜を得る。【構成】 組成を限定したナノ結晶合金薄帯の少なくとも片面にアルミニウムシリケ-ト、リチウムシリケ-ト、マグネシウムメチラ-トから選ばれた少なくとも一つからなる溶液を塗布し乾燥硬化させた平均厚さ2μm以下の絶縁層が形成させる。
請求項（抜粋）：
一般式:(Fe<SB>1-a</SB>M<SB>a</SB>)<SB>100-x-y-z-b</SB>A<SB>x</SB>M'<SB>y</SB>M''<SB>z</SB>X<SB>b</SB> (原子%)で表され、式中MはCo,Niから選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ばれた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,Al,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,N,OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,C,Ge,GaおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示し、a,x,y,zおよびbはそれぞれ0≦a<0.5、0≦x≦10、0.1≦y≦20、0≦z≦20、2≦b≦30を満足する数で表される組成であるナノ結晶合金薄帯において、薄帯の少なくとも片面にアルミニウムシリケ-ト、リチウムシリケ-ト、マグネシウムメチラ-トから選ばれた少なくとも一つからなる溶液を塗布し乾燥硬化させた平均厚さ2μm以下の絶縁層が形成していることを特徴とする絶縁性に優れたナノ結晶合金薄帯。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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