磁気中性線放電プラズマを利用した成膜装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052422
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258844
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】真空チャンバ内で磁気中性線放電プラズマを利用して基板上に成膜するようにした成膜装置において、真空チャンバ内に設けられた電場発生コイルへの不要物質の付着を阻止して、安定した高純度のプラズマを維持できるようにすること。【構成】磁気中性線放電プラズマを形成する電場発生コイルの内面に沿って、電場発生コイルへ向かう成膜物質を含む不要物質を阻止する遮蔽手段を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である磁気中性線を形成するようにした磁場発生手段と、電場発生手段として真空チャンバ内に設けられ、磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生コイルとを有し、真空チャンバ内で磁気中性線放電プラズマを利用して基板上に成膜するようにした成膜装置において、電場発生コイルの内面に沿って、電場発生コイルへ向かう成膜物質を含む不要物質を阻止する遮蔽手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (6件)：

C23C 14/35 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (6件)

高真空・高速イオン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199962 出願人：日本真空技術株式会社
特開平1-139762
特開昭61-138432

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