特許

J-GLOBAL ID：200903022818236378

多層磁気抵抗効果膜及びこれを用いた磁気ヘッド、並びに磁気記録再生装置

発明者： 中谷 亮一 ,  星屋 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045818
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237411
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗効果を示す材料が求められているが、反強磁性層上に形成した磁性層では印加される交換相互作用による一方向異方性エネルギーが低く、熱処理を行う必要がある。しかし、多層膜を高い温度で熱処理すると、各層の界面において原子拡散が生じ、多層膜の特性が劣化する。【解決手段】反強磁性層、磁性層、非磁性層、磁性層〜の構造を有する高磁気抵抗効果を示す多層膜を用い、反強磁性層材料のブロッキング温度を200°C〜300°Cとした多層磁気抵抗効果膜を磁気ヘッド、磁気記録再生装置に用いた。【効果】 本発明の多層磁気抵抗効果膜は、多層膜の耐熱温度以下で熱処理を行うことができ、また、磁気ヘッドの使用環境において、優れた特性を示す。従って、上記多層磁気抵抗効果膜を使用した磁気ヘッド、磁気記録再生装置は、優れた再生特性を示す。

請求項（抜粋）：

基板側より、Mnを含む反強磁性層、磁性層、非磁性層、磁性層の順に形成されている多層膜において、上記Mnを含む反強磁性層が反強磁性層に接する磁性層に交換バイアス磁界を印加し、そのブロッキング温度が200°C以上300°C以下であり、上記非磁性層を挟む磁性層の磁化のなす相対角度により多層膜の電気抵抗率が変化することを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。