特許
J-GLOBAL ID：200903022819520622
p型▲II▼-▲VI▼族半導体用の勾配付組成オーミックコンタクト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-518047
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506694
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】基板、p型II-VI族半導体のデバイス層、および電極と、電極とデバイス層間のオーミックコンタクト層とを備えたII-VI族レーザダイオード。オーミックコンタクト層は、ZnTeを含有した組成勾配付化合物半導体を含む。デバイス層からオーミックコンタクト層までの距離の増加に伴って、上記化合物半導体中のZnTeの相対含有量が増加する。第1の実施態様においては、オーミックコンタクト層は、デバイス層の化合物半導体とZnTeとを含有する組成勾配付半導体合金を含む。第2の実施態様においては、オーミックコンタクト層は、デバイス層の化合物半導体の層間に挟まれたZnTe層を含む。第2の実施態様においては、デバイス層からオーミックコンタクト層までの距離の増加に伴って、ZnTeの層の厚さが増加し、またはデバイス層の化合物半導体の層の厚さが減少する。
請求項（抜粋）：
基板、 p型II-VI族化合物半導体デバイス層、 電極、および p型オーミックコンタクト層であって、上記デバイス層と電極との間にあって、第1化合物半導体とZnTe含有第2化合物半導体を含み、上記デバイス層からこのp型オーミックコンタクト層までの距離の増加に伴ってこのp型オーミックコンタクト層中の上記ZnTeの相対平均含有量が増加しているp型オーミックコンタクト層、を含む半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
, H01L 33/00
