特許

J-GLOBAL ID：200903022820767011

レーザ・アニールによる固相エピタキシャル成長(epitaxy)再結晶化

発明者： ジェーン、アミターブ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  林 鉐三 ,  清水 邦明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-539027
公開番号（公開出願番号）：特表2008-518483
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

MOS型トランジスタの浅く急峻な傾斜ドレイン拡張部を製造するための方法(70)を説明する。この方法では、半導体製品の製造におけるレーザSPERアニール・プロセスを用いて、ドレイン拡張部内で固相エピタキシャル成長再結晶化が成される。一つの方法(70)は、基板のチャネル領域に隣接する基板の拡張領域内深くにゲルマニウムなどの重イオン種を打ち込んで深い非晶化領域を形成し、その後、チャネル領域に隣接する基板の拡張領域内にボロン又は別のこのようなドーパント種を打ち込む、事前非晶化プロセス(74)を含む。打ち込んだドーパントを、その後、低温でプレアニール(78)して接合深さ及びドーピング濃度を定める。その後、拡張部及び/又は深いソース/ドレイン領域を、チャネル領域に近接する領域の固相エピタキシャル成長再結晶化を提供する高温のレーザでアニールして(84)、急峻な傾斜を有する超高ドーピング濃度及び活性化レベルを達成する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタにドレイン拡張部(extension)を製造する方法であって、 基板のチャネル領域に隣接する基板の拡張領域に重イオン種を打ち込んで、非晶化させた領域を形成し、 チャネル領域に隣接する基板の拡張領域にドーパント種を打ち込み、 基板の再結晶化温度より低い温度の低温プレアニール・プロセスを用いて、拡張領域に打ち込んだドーパント種をアニールして、接合深さ及びドーピング濃度を定め、及び 拡張領域をレーザでアニールして、ドレイン拡張領域の実質的に全体にわたってドーパント種を活性化させる ことを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (5件)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 604M ,  H01L21/265 602C ,  H01L21/265 602A

Fターム (23件)：

5F140AA10 ,  5F140AA21 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD05 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG37 ,  5F140BG39 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH22 ,  5F140BH49 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140CE18 ,  5F140CF07