特許
J-GLOBAL ID：200903022821748169
細線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136431
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 簡易で、再現性の良い細線形成方法を得る。【構成】 半絶縁性GaAs基板を、第1の溶液でエッチングし、その後、第2の溶液で処理し、基板/エピ界面の不純物の偏析現象が変わることを利用して、1回のエピタキシャル成長を施すことにより、細線を形成する。【効果】 細線形成を簡易に再現性良く実施できる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板の所要部分を、第1の溶液でエッチングする工程と、上記エッチングした半絶縁性GaAs基板を第2の溶液で処理する工程と、上記処理した半絶縁性GaAs基板に一回のエピタキシャル成長を施し、前記第1の溶液でエッチングされた部分以外の該第1の溶液で処理されていない部分に細線を形成する工程とを備えたことを特徴とする細線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/804
, H01L 21/203
, H01L 21/306
, H01L 29/06
