有機半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035724
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243411
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】新規な構造を有し、例えば、素子効率の優れた有機半導体装置および生産性の高い有機半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機半導体装置1000は、第1の基板10と、第1の基板10の上に配置される第1の電極20と、第1の電極20に対して第1の絶縁層50を介して配置される第2の電極70と、第2の電極70の上に配置される有機半導体層90と、有機半導体層90の上に配置される第3の電極80と、第3の電極80に対して第2の絶縁層60を介して配置される第4の電極40と、第4の電極40の上に配置される第2の基板20と、を含む。また、本発明に係る有機半導体装置1000の製造方法は、第1の基板10の上に所定の層を有する第1素子を形成する第1素子形成工程と、第2の基板20の上に所定の層を有する第2素子を形成する第2素子形成工程と、第1素子と第2素子とを固定する素子固定工程とを含む。

請求項（抜粋）：

第1の基板と、前記第1の基板の上に配置される第1の電極と、前記第1の電極に対して第1の絶縁層を介して配置される第2の電極と、前記第2の電極の上に配置される有機半導体層と、前記有機半導体層の上に配置される第3の電極と、前記第3の電極に対して第2の絶縁層を介して配置される第4の電極と、前記第4の電極の上に配置される第2の基板と、を含む、有機半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 51/00 , H05B 33/14

FI (7件)：

H05B 33/14 A , H01L 29/78 301 Z , H01L 29/28 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 622 , H01L 29/78 617 N

Fターム (40件)：

3K007DB03 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF22 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F140AA00 , 5F140AC23 , 5F140AC30 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA18 , 5F140BB04 , 5F140BC11 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BJ01 , 5F140BJ03 , 5F140BJ20 , 5F140BJ25

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