特許
J-GLOBAL ID：200903022830081495
半導体センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067079
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236788
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 特殊な機器を使用することなく、位置合わせが容易で精度の高い、張り合わせ技術を用いた半導体センサの製造方法を提供する。【構成】 第一半導体基板1のいずれか一方面にダイヤフラム用の凹部3を形成するとともに、この凹部周辺の所定位置に当該凹部よりも深い位置あわせ用の凹部を形成し、これら凹部の形成された第一半導体基板1の一方面に絶縁膜7を有する第二半導体基板8を張り合わせるとともに、第一半導体基板1の他方の面を前記位置合わせ用の凹部が露出するまで研磨し、露出した凹部の位置に基づいて第一半導体基板の他方の面に圧力検出素子10を形成する。尚11は検出信号処理用集積回路である。
請求項（抜粋）：
第一半導体基板の一方面に、ダイヤフラム用の凹部と、この凹部よりも深い位置合わせ用の凹部とを形成する工程と、これら凹部の形成された前記第一半導体基板の一方面に第二半導体基板の一方面側を張り合わせる工程と、前記第一半導体基板の他方面を前記位置合わせ用の凹部が露出するまで研磨する工程と、露出した前記位置合わせ用の凹部の位置に基づいて、ダイヤフラム用の凹部に対応する位置に圧力検出素子を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
