特許

J-GLOBAL ID：200903022830411320

X線分析方法およびX線分析装置

発明者： 福田 智行 ,  庄司 孝
出願人/特許権者： 理学電機工業株式会社
代理人 (1件)： 杉本 修司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170287
公開番号（公開出願番号）：特開平8-338819
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】シリコンウエハの酸化膜の厚さを、非破壊的に、簡便に、かつ正確に測定できるX線分析方法およびX線分析装置を提供する。【構成】既知で相異なる厚さの酸化膜を有する複数のシリコンウエハ7を標準試料7とし、それらの標準試料7に1次X線5を照射し、標準試料7表面で散乱する1次X線9の強度と標準試料7から発生するシリコンの蛍光X線10の強度との比を算出し、その強度比と酸化膜の厚さとの相関関係を求めておき、酸化膜の厚さが未知であるシリコンウエハ8について、同様に算出した強度比と前記求めておいた相関関係に基づいて、酸化膜の厚さを求める。

請求項（抜粋）：

既知で相異なる厚さの酸化膜を有する複数のシリコンウエハを標準試料とし、それらの標準試料に1次X線を照射し、標準試料表面で散乱する1次X線の強度および標準試料から発生するシリコンの蛍光X線の強度を測定し、それら測定した強度の比を算出し、その強度比と前記既知の酸化膜の厚さとの相関関係を求めておき、未知の厚さの酸化膜を有するシリコンウエハを測定対象試料とし、その測定対象試料に1次X線を照射し、測定対象試料表面で散乱する1次X線の強度および測定対象試料から発生するシリコンの蛍光X線の強度を測定し、それら測定した強度の比を算出し、その強度比と前記求めておいた相関関係とに基づいて、測定対象試料の酸化膜の厚さを求めるX線分析方法。