特許
J-GLOBAL ID：200903022834157380
液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170274
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015021
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】アクティブマトリックス液晶パネルにおいては、各画素ごとに保持容量が形成され、この保持容量とデータ線とが交差するためデータ線の寄生容量が増加し、また保持容量にノイズが入り電位が安定しなくなる。【解決手段】画素電極の下方の半導体基板の表面に比較的不純物濃度の高い半導体領域形成して保持容量の第1の電極となし、この半導体領域の上方に絶縁膜(3’)を介して保持容量の第2の電極となる導電層を形成し、前記半導体領域または導電層は半導体基板の表面に画素領域の所定方向に沿って連続して形成された基板電位供給線に接続して、保持容量の一方の電極の電位を安定化するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に反射電極がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々スイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子を介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成されるとともに、前記スイッチング素子のオン時に電荷が蓄積される保持容量が各画素ごとに設けられてなる液晶パネル用基板において、前記反射電極の下方の半導体基板表面に前記保持容量の第1の電極となる比較的不純物濃度の高い半導体領域が形成され、この半導体領域の上方に絶縁膜を介して前記保持容量の第2の電極となる導電層が形成され、前記半導体領域または前記導電層は前記半導体基板に画素領域の所定方向に沿って複数の画素に渡って連続して形成された高不純物濃度の不純物導入層からなる基板電位供給線に接続されることを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 621
