特許
J-GLOBAL ID:200903022834365811
光メモリ素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-104153
公開番号(公開出願番号):特開2003-303449
出願日: 2002年04月05日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】 読取装置の小型化、低消費電力化を実現しながら、再生光がコア層の情報領域の全域に同時に入射するようにし、正確な再生像が得られるようにする。【解決手段】 コア層3と、コア層の両面に積層されたクラッド層2とを備え、コア層とクラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部6を有する光導波路部材232を1個又は複数個有してなる積層体に、情報用凹凸部の情報を再生する再生光をコア層へ導入するための入射端面を形成してなる光メモリ素子であって、曲げ剛性が0.294N・m2以下である。
請求項(抜粋):
コア層と、前記コア層の両面に積層されたクラッド層とを備え、前記コア層と前記クラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部を有する光導波路部材を1個又は複数個有してなる積層体に、前記情報用凹凸部の情報を再生する再生光を前記コア層へ導入するための入射端面を形成してなる光メモリ素子であって、曲げ剛性が、0.294N・m2以下であることを特徴とする、光メモリ素子。
IPC (2件):
G11B 7/24 572
, G11B 7/24
FI (2件):
G11B 7/24 572 D
, G11B 7/24 572 F
Fターム (5件):
5D029TA03
, 5D029TA05
, 5D029TA06
, 5D029TA08
, 5D029TA10
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