特許

J-GLOBAL ID：200903022836421611

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 修也 ,  山下 孝 ,  市川 竜司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275677
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131009
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 安定した動作特性を有しながら微細化を最大限に実現した高集積度の半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に第1の物質例えばSi窒化膜からなる第1の層10を形成し、所定の位置に第1層の開口部10aを形成する。次に第2の物質例えば多結晶Siからなる薄い第2の層11を形成し、第1層10の側壁のみに第2の層をサイドウォール11aとして残す。第1の物質からなる第3の層を全表面上に薄く形成し、第2層11の側壁のみに第3の層による別のサイドウォール10bを形成する。第1物質からなる各層10,10bを残して第2物質の全層11a,11bを選択除去し、第1物質の各層をマスクとして基板表面をエッチングして微細な溝14を形成し、第1物質からなる各層を除去する。かくして実効的チヤネル長やチヤネル幅の減少を抑えつつ、半導体装置の微細化を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の素子形成領域の表面に極めて狭い所定の間隔で形成された所定の深さの微細な複数のトレンチと、を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (4件)：

H01L 29/78 301 V ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 H