特許

J-GLOBAL ID：200903022844596951

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 松原 潤子 ,  松川 和人 ,  原田 繁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068213
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283511
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 多層配線平坦化技術において、ウエハエッジ部分で発生するSOG膜の隆起を抑制し、そこから生じるクラック及び膜ハガレ異物を防止した半導体製造装置及びその製造方法を得る。【構成】 (1)多層SOG膜の層毎の洗浄回転数を変える。(2)下地酸化膜に段差を設ける。(3)洗浄液吐出口を設け、吐出口を角度調整可能とする。【効果】 以上のように構成することによって従来問題であった隆起部のクラック及び膜ハガレ異物を防止し、信頼性を向上させるとともに製造プロセスにおける歩留りを向上させる効果がある。

請求項（抜粋）：

次の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法(1)半導体基板上に下地絶縁膜を形成する工程、(2)上記下地絶縁膜を含め半導体基板上に第1の絶縁層を回転塗布する工程、(3)上記基板裏面を第1の回転数で回転中に洗浄する工程、(4)上記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を回転塗布する工程、(5)上記基板裏面を第1の回転数より低い第2の回転数で回転中に洗浄する工程。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 361 X ,  H01L 21/88 K