特許
J-GLOBAL ID：200903022851712487
半導体レーザ素子
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038561
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196810
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、このn型GaAs基板1上に形成したn型AlGaAs第1クラッド層2と、この第1クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成したストライプ状のリッジ部を有するp型AlGaAs第2クラッド層5とを備え、前記第1クラッド層2中にn型AluGa1-uAs第1過飽和光吸収層3を有すると共に前記第2クラッド層5のp型第3AlGaAsクラッド層5a上にp型AluGa1-uAs第2過飽和光吸収層6を有し、且つこの第1、第2過飽和光吸収層3、6は発振波長エネルギーと等しいバンドギャップエネルギーをもつ構成とした。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設けた第1導電型の第1クラッド層と、該第1クラッド層上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第2導電型の第2クラッド層とを備え、前記第1、第2クラッド層は前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有すると共に、前記第1、第2クラッド層の少なくとも一方の層中に発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する過飽和光吸収層を有したことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
前のページに戻る
