特許

J-GLOBAL ID：200903022852728239

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055600
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】トラップ型不揮発性半導体記憶装置の微細化と集積化を促すため書込電圧を低電圧化し電荷保持性能を向上させる。【構成】p型Si基板3内にn+型ドレイン22及びn+型ソース24の形成によりチャンネル領域28が形成され、その上にSiO2薄膜26が形成され、その上面にSi窒化膜とTiO2との混合膜が形成され、さらにその上にポリSi膜20が形成されている。混合膜16の表面を酸化しバリア酸化膜18を形成する。メモリセル2を用いた記憶装置では、ポリSi膜とチャンネル領域28間に電界印加時、SiO2膜を通抜けたチャンネル領域内の電子が混合膜16にトラップされて情報が記憶される。書込時と反対方向の電界を印加し、トラップ電子をチャンネル領域に戻してやれば情報は消去される。情報を読出す場合はメモリセル2のn+型のドレインとソース間に電圧を印加時、チャンネル領域に電流が流れるか否かで判断される。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第二導電型の少なくとも一対の拡散領域と、前記半導体基板上に形成された第一絶縁膜と、第一絶縁膜上に形成された高誘電率絶縁物質と無定形絶縁物質(シリコン窒化を含む)との混合膜と、前記混合膜上に形成された制御電極と、を備える半導体不揮発性記憶装置において、前記混合膜と前記制御電極との間に第二絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434