特許

J-GLOBAL ID：200903022862074385

基板の研磨法

発明者： 倉田 靖 ,  芦沢 寅之助 ,  平井 圭三 ,  赤堀 聡彦 ,  大槻 裕人 ,  華園 雅信
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-162314
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037091
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術においては、研磨時間によるプロセス管理が難しく、埋め込み膜のディッシング等により、充分な平坦性を得ることが難しいという問題がある。本発明は、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨法を提供するものである。【解決手段】 基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤で研磨する研磨法であって、研磨圧力をPとすると、研磨速度に変曲点が現れる圧力P’がP’>Pとなる添加量の研磨剤で研磨する第1工程と、研磨速度に変曲点が現れる圧力P”がP”<Pとなる添加量の研磨剤で研磨する第2工程で順に研磨する。

請求項（抜粋）：

基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤で研磨する研磨法であって、研磨圧力をPとすると、研磨速度に変曲点が現れる圧力P’がP’>Pとなる添加量の研磨剤で研磨する第1工程と、研磨速度に変曲点が現れる圧力P”がP”<Pとなる添加量の研磨剤で研磨する第2工程を順に備えることを特徴とする基板の研磨法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02

FI (8件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 K ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 K ,  B24B 57/02

Fターム (16件)：

3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C049AA07 ,  3C049AA12 ,  3C049AC04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03 ,  3C049CB10 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12