多段セルの磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 松本公雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-575386
公開番号（公開出願番号）：特表2005-520325
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

各セルが他のセルと独立に書き込まれ読み取られる複数のメモリセルを有する多状態の磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリユニット(MRAM)。複数のメモリセルは、固着磁性層としての記録層と非固着層としての読取り層とを備える。非固着層は、固着層よりも高いキュリー温度を有する。個別のセル中の固着層がそのキュリー温度近くまで加熱され、ビット線電流およびワード線電流を使用して記録層の磁化ベクトルを読取り層の磁化ベクトルに対して複数の角度で配列させる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルと電気的に接触したビット線およびワード線とを備え、前記複数のメモリセルのそれぞれが、第1の磁性層、第2の磁性層、および非磁性スペース層を含み、前記複数のメモリセル中の個別のセルに隣接した加熱要素が、前記セルの前記第1の磁性層を他のセルとは独立にそのキュリー温度近くまで加熱し、前記第1の磁性層の磁化ベクトルが、前記ビット線およびワード線に流れる電流が生成する磁界にそろえられる、多状態の磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ(MRAM)ユニット。

IPC (3件)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01L43/08 Z

Fターム (8件)：

5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA25 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084554 出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-026186 出願人：株式会社日立製作所
磁気メモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-153911 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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