特許

J-GLOBAL ID：200903022868495765

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木下 義弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168774
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357692
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 高周波の増幅倍率、ノイズ特性等の高周波特性の良い半導体装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板(p型基板)1と、p型基板1の表面に配置された第2導電型のソース領域(n+ソース領域)4と、n+ソース領域4とは離間した位置においてp型基板1の表面に配置された第2導電型のドレイン領域(n+ドレイン領域)5と、n+ソース領域4とn+ドレイン領域5の間のp型基板1の上に第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)6を介して配置されたゲート電極7と、少なくともn+ソース領域4及びゲート電極7の上に第2の絶縁膜(第2の層間絶縁膜)9を介して配置され、接地電位に接続された導電性のシールド膜13とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に配置され、第1の主電極領域と第2の主電極領域と制御電極領域を有する能動素子と、少なくとも前記第1の主電極領域及び前記制御電極領域の上に絶縁膜を介して配置され、接地電位に接続された導電性のシールド膜とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H03F 3/193

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H03F 3/193 ,  H01L 29/78 301 X

Fターム (24件)：

5F033PP15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033TT01 ,  5F033VV03 ,  5F033XX27 ,  5F040DA01 ,  5F040DB01 ,  5F040DB09 ,  5F040EM07 ,  5F040FC11 ,  5J092AA01 ,  5J092CA61 ,  5J092CA92 ,  5J092FA16 ,  5J092HA02 ,  5J092HA10 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092KA00 ,  5J092QA02 ,  5J092QA03 ,  5J092SA13 ,  5J092VL08