特許
J-GLOBAL ID:200903022868545770
錫置換ゼオライト・ベータを用いたケトン類のエステル類への酸化
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十嵐 和壽 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-578389
公開番号(公開出願番号):特表2003-534251
出願日: 2001年04月19日
公開日(公表日): 2003年11月18日
要約:
【要約】出願人等はケトンをエステルに酸化するプロセスを開発した。このプロセスはケトンを過酸化水素及び触媒と酸化条件で接触させるステップを含んでいる。この触媒は実験式:(MwSnxTiySi1-x-y-zGez)O2で示される分子ふるいであり、この式でMはアルミニウムあるいはホウ素などの3価の金属である。これらの分子ふるいは少なくともSiO2及びSnO2の4面体単位の微孔性3次元フレームワーク構造、結晶学的に規則正しい孔システム、そしてゼオライト・ベータの特徴を示すX線回折パターンを有している。
請求項(抜粋):
ケトンをエステルに酸化するプロセスにおいて、ケトンを過酸化水素及び触媒と酸化条件下で接触させて対応するエステルをつくりだすステップを含み、上記触媒が焼成、無水ベースで:(MwSnxTiySi1-x-y-zGez)O2の実験式を有する分子ふるいで構成され、上記式でMは+3価の電荷を有する金属、wはMのモル比率で0〜2xの範囲の値をとり、xは錫のモル比率であって0.001〜0.1の範囲の値をとり、yはチタンのモル比率であって、0〜0.1の範囲の値をとり、zはゲルマニウムのモル比率であって0〜0.08未満の値をとり、そしてその組成がゼオライト・ベータのX線回折パターンの特徴を示し、w、y及びzがすべてゼロの場合に、その分子ふるいが近距離秩序を有するアモルファスであるか、あるいはゼオライト・ベータのX線回折パターンの特徴を示すことを特徴とするプロセス。
IPC (7件):
C07D309/30
, B01J 29/70
, B01J 29/89
, C07D313/04
, C07D313/20
, C07B 61/00 300
, C07C 67/42
FI (7件):
C07D309/30 D
, B01J 29/70 Z
, B01J 29/89 Z
, C07D313/04
, C07D313/20
, C07B 61/00 300
, C07C 67/42
Fターム (41件):
4C062BB56
, 4C062BB57
, 4C062JJ05
, 4C062JJ15
, 4G069AA02
, 4G069BA07A
, 4G069BA07B
, 4G069BC22A
, 4G069BC22B
, 4G069BC50A
, 4G069BC50B
, 4G069BC66A
, 4G069BD03A
, 4G069CB07
, 4G069CB75
, 4G069ZA19A
, 4G069ZA19B
, 4G069ZA37A
, 4G069ZA37B
, 4G069ZA38A
, 4G069ZA43A
, 4G069ZC02
, 4G069ZC04
, 4H006AA02
, 4H006AC48
, 4H006BA09
, 4H006BA10
, 4H006BA11
, 4H006BA19
, 4H006BA31
, 4H006BA71
, 4H006BB14
, 4H006BB15
, 4H006BB21
, 4H006BC10
, 4H006BC11
, 4H006BC19
, 4H006BC31
, 4H006BE32
, 4H039CA66
, 4H039CC40
引用特許:
引用文献:
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