特許
J-GLOBAL ID:200903022869044821

半導体触媒

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-307378
公開番号(公開出願番号):特開平11-138018
出願日: 1997年11月10日
公開日(公表日): 1999年05月25日
要約:
【要約】【課題】 有機物の分解や合成に好適な半導体触媒を提供する。【解決手段】 GeとSiとSiC(またはC)を相互にヘテロ接合(または接触)させて触媒粒子とする。このような半導体触媒は、入射光の利用効率が高く、光生成キャリアを高効率で有機物の酸化・還元準位に授受できる。このため、有機物の分解による海水、淡水等の清浄化や、微生物の異常発生の防止等を、きわめて効率よく行なうことができる効果がある。
請求項(抜粋):
有機物を分解もしくは合成する半導体触媒において、GeまたはGeを主成分とするGeSiからなる第1半導体と、SiまたはSiを主成分とするGeSiからなる第2半導体と、SiO2またはSiCまたはCの少なくともいずれかを含む触媒機能増強材と、を含み、前記第1半導体と前記第2半導体は塊状体をなして互いに接触または接合し、前記第2半導体と前記触媒機能増強材は互いに接触または接合していることを特徴とする半導体触媒。
IPC (7件):
B01J 35/02 ZAB ,  B01J 21/08 ,  B01J 23/14 ,  B01J 27/224 ,  C02F 1/30 ,  C02F 1/70 ,  C02F 1/72 101
FI (7件):
B01J 35/02 ZAB A ,  B01J 21/08 A ,  B01J 23/14 A ,  B01J 27/224 A ,  C02F 1/30 ,  C02F 1/70 ,  C02F 1/72 101
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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