特許

J-GLOBAL ID：200903022869532745

光磁界探傷方法

発明者： 内 藤 修 治
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 杉信 興
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264033
公開番号（公開出願番号）：特開平5-099900
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 強磁性体の表面欠陥を検出するに際し、従来の方式より性能価格比を画期的に向上させ、従来自動化の出来なかった領域にも適用可能な測定を提供する。【構成】 漏洩磁束探傷法において、被検査材の表面に近節して膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気効果素子の薄膜を配置し、検査面に平行方向に強い磁界を加えて、欠陥より漏洩磁界の垂直成分を膜面に垂直方向から光をあてて光学的走査にて検出する。

請求項（抜粋）：

漏洩磁束による探傷方法であって、被検査材の表面に近接して、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気効果素子の薄膜を、前記被検査材の表面に平行に配置し、磁化器により被検査材の検査面に平行方向に強い磁界を印加し、被検査材の表面の欠陥より漏洩する漏洩磁界の垂直成分を、前記膜面の上方から光学的走査手段によって測定し被検査材の表面欠陥を検出することを特徴とする光磁界探傷方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-227655
  
• 特開平2-077643
  
• 特開昭61-286763
  
• 特開平2-291955