特許

J-GLOBAL ID：200903022869773114

複合発光素子及びその製造方法

発明者： 井上 登美男 ,  小屋 賢一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127343
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体GaAlAsを活性層とする発光素子の活性層で発光した光が、効率よく外部に取り出しが可能な発光素子の構造及び良品率のよい製造方法の提供。【解決手段】 半導体発光素子1とこれを導通搭載するサブマウント素子2との組合せによる複合発光素子であって、活性層6をGaAlAsとするとともに、主光取り出し面までの層にGaAsを含まない半導体積層構造とし、且つ半導体発光素子1に設けるp側及びn側の電極9,10をサブマウント素子2への搭載面側に備えることによって主光取り出し面の発光面積を確保するとともに、p側電極を反射率の良い電極材料で形成することにより、光取り出し効率を上げる。

請求項（抜粋）：

サブマウント素子と半導体発光素子とを重ね合わせて導通させた複合発光素子であって、前記半導体発光素子は、GaAlAsを活性層とし、該活性層を挟んで、赤の光を透過する第1及び第2導電型半導体層を積層したダブルヘテロ構造で、第1導電型半導体層を上に向けてその上面を主光取り出し面とするとともに、下面には第1導電型半導体領域に接続する第1電極及び第2導電型半導体領域に接続する第2電極をそれぞれ備え、前記サブマウント素子は、基板の上面に2つの電極を形成し、該2つの電極は前記半導体発光素子の第1及び第2電極に対向する配置とし、更に、前記半導体発光素子及びサブマウント素子の対向する電極どうしをマイクロバンプにより接続したことを特徴とする複合発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA91 ,  5F041CB11 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20