特許

J-GLOBAL ID：200903022870628810

薄膜半導体装置およびその製造方法並びに薄膜半導体装置を用いた液晶ディスプレイ装置

発明者： 近藤 信昭 ,  森 孝二 ,  楠 雅統
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148411
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326965
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 基板に高分子材料(プラスチックフィルム)を用いる場合にも、特性劣化や歩留り低下等を回避することが可能である。【構成】 高分子材料(プラスチックフィルム)からなる基板11の表面12に予めおう・とつ14が形成されており、おう・とつ14の形成された表面12上に半導体装置(例えば薄膜トランジスタ)13が形成されている。表面12の加工方法には、レーザアブレーションを用いることができ、レーザアブレーションを用いると、熱プロセスをほとんど無視でき、低温プロセス下で、レーザ光の照射された部分のみを、周囲に損傷を与えることなく、瞬間的にエッチングすることができる。また、エッチングの深さを高精度に制御することができる。

請求項（抜粋）：

高分子材料からなる基板と、該基板の表面上に形成された半導体装置とを有し、前記基板の表面には、半導体装置を密着させるのに必要な表面改質が予め施されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12