特許

J-GLOBAL ID：200903022870702433

位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法

発明者： 松岡 晃次 ,  勝山 亜希子 ,  小泉 太一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323746
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度(DOF)が劣化する。【解決手段】 ネガレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する。これによって孤立、密パターンともに焦点深度(DOF)の高い微細ホールパターンが形成される。

請求項（抜粋）：

ネガレジストを用いて微細ホールパターンを形成するためのハーフトーン型の位相シフトマスクであって、ホールパターンを形成するための本体パターンと、前記本体パターンの近傍に、解像しない寸法、及び透過率で形成された補助パターンと、を有することを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 Z

Fターム (5件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17