特許

J-GLOBAL ID：200903022874208492

有機半導体素子

発明者： 坂部 博英
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-096422
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286025
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 電子特性及び信頼性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】 ペンタセン薄膜と、このペンタセン薄膜を覆って保護する保護層とを、シリコン基板上に形成して、トランジスタを形成した。この保護層は、プラズマ重合法によりナフタレンを重合して得られる絶縁性のナフタレン重合体薄膜である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層と、該有機半導体層を覆って保護する保護層と、を備える有機半導体素子において、 前記保護層は、気相重合法により形成された重合体で構成されており、絶縁性を有していることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (2件)：

H01L51/00 ,  H01L21/47

FI (2件)：

H01L29/28 ,  H01L21/47

Fターム (6件)：

5F058AA08 ,  5F058AB10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AF10 ,  5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界発光素子の保護
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-287259   出願人：テイーデイーケイ株式会社
• 有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185816   出願人：富士ゼロックス株式会社