プラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343267
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160550
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】プラズマ生成効率の向上、プラズマエッチング等のドライエッチングにおいて高選択性の加工を達成する。【解決手段】本発明によれば、真空容器の内外を分離する誘電体1を設置し、前記誘電体の大気側に設置するMSA4に300MHz以上1GHz以下のUHF帯電力を供給されることによって発生した電磁波とソレノイドコイル16の磁場によるプラズマ生成法で、前記電磁波の誘電体界面における反射を低減し入射効率を上げるために、前記MSA4の外周部の部材を誘電率3.0から22の誘電体を用いることで、安定で均一、且つプラズマ密度の増大を可能とする。【効果】前記UHF帯電力を用いて、安定なプラズマを作ることができる。前記誘電体1の大気側に前記MSA4を設置することによって、均一性なプラズマを作ることができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内に導入されたガスを、平板アンテナに高周波電力を印加してプラズマ化し、該プラズマにより該真空容器内に配置した被加工物を処理するプラズマ処理装置において、前記平板アンテナの周辺部の誘電体を、前記プラズマの誘電率に近い誘電率を有する部材で構成してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23F 4/00 G , H05H 1/46 L , H05H 1/46 C , H01L 21/302 C

Fターム (12件)：

4K057DA13 , 4K057DA16 , 4K057DD04 , 4K057DD08 , 4K057DM24 , 4K057DM33 , 4K057DN01 , 5F004AA02 , 5F004AA05 , 5F004BA14 , 5F004BB11 , 5F004EB02

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