特許

J-GLOBAL ID：200903022877351792

光変調器用基板の製作方法

発明者： 内川 英興 ,  吉新 喜市 ,  今田 勝大 ,  河又 巌 ,  水落 隆司 ,  北山 忠善 ,  宇都宮 真
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-127031
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 良好な性能を有する酸化物超電導電極を形成することのできる光変調器用基板をうる。【構成】 電気光学効果を有する結晶基板上にTi層を形成し、前記Ti層を所定の温度で熱拡散させることによって光導波路を形成する工程、前記基板の光導波路が形成された面にMg層またはMgO層を形成したのち、Ti層の熱拡散のばあいよりも少なくとも50°C以上低温で熱処理を行なう工程からなる。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する結晶基板上にTi層を形成し、前記Ti層を所定の温度で熱拡散させることによって光導波路を形成する工程、前記基板の光導波路が形成された面にMg層またはMgO層を形成したのち、Ti層の熱拡散のばあいよりも少なくとも50°C以上低温で熱処理を行なう工程を有することを特徴とする光変調器用基板の製作方法。

IPC (4件)：

G02B 6/12 ,  G02F 1/035 ,  G02F 1/05 ZAA ,  G02F 1/05 501