特許
J-GLOBAL ID：200903022877824950
半導体ウエハー上の酸化物の電荷を測定するためのプローブおよびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300499
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209376
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 誘電体層を上部に有する半導体基板の電気特性を測定するのに適したプローブ、その形成方法、ならびにその使用方法を提供する。【構成】 プローブは導電性のプローブ針10を備え、この針は第1の半径の丸い先端部12を有し、この丸い先端部は塑性変形するのに適している。針は半導体基板14上の誘電体層16上に位置決めし、針先端部を誘電体層の滑らかな表面に、制御しつつ押し付け、針先端部に塑性変形を起させる。そのとき、丸い先端部の外側部分は第1の半径を維持し、丸い先端部の内側部分は第2の半径に増大する。第2の半径は第1の半径より大きい。塑性変形した調整プローブは、高い共形性と密着性を達成し、また接触面積が明確に決まるため、正確な電気特性の測定に最適である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の滑らかな表面を有する誘電体層のプローブ-酸化物-半導体(POS)電気特性の測定に適したプローブを形成する方法において、(a)導電性のプローブ針を用意するステップを含み、前記針は第1の半径の丸い先端部を有し、前記丸い先端部はさらに塑性変形を生じるのに適しており、(b)前記針を前記半導体基板上の前記誘電体層の上に位置決めし、前記針の先端部を前記誘電体層の前記滑らかな表面に、制御しつつ押し付けるステップを含み、その結果、前記針先端部に塑性変形を起させ、そのとき前記丸い先端部の外側部分は第1の半径を維持し、前記丸い先端部の内側部分は、その半径を第2の半径に増大させ、前記第2の半径は前記第1の半径より大きいことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
G01R 31/26
, G01R 29/24
, G01R 31/28
, H01L 21/66
