特許

J-GLOBAL ID：200903022886011880

複合半導体基板及びその製造方法

発明者： 清水 道正 ,  勝木 省三 ,  渡辺 義明 ,  糸山 寿明
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283706
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142570
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体単結晶領域の微少な位置ずれと、基板の反りを解消する。【構成】 1または相互に分離された複数個の半導体単結晶領域11と、これを支持する支持基板15とが、ガラス物質13によって接着された複合半導体基板において、半導体単結晶領域とガラス物質の間に、高融点を有する金属、金属化合物、アモルファス半導体、及び半導体化合物等からなる応力緩和層14を介在させた複合半導体基板。

請求項（抜粋）：

1または相互に分離された複数個の半導体単結晶領域と、これを支持する支持基板とが、ガラス物質によって接着された複合半導体基板において、当該半導体単結晶領域とガラス物質の間に、応力緩和層であって、高融点を有する金属、金属化合物、アモルファス半導体、及び半導体化合物からなる群より選ばれる少なくとも1つの物質から成る層をすくなくとも一層以上介在させることを特徴とする複合半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12