特許

J-GLOBAL ID：200903022890337375

可変波長半導体レーザ

発明者： 末広 雅幸 ,  飯尾 晋司 ,  日原 衛 ,  武田 英樹
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 東野 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274166
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112072
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 低電力でレーザ出力光の発振波長の可変範囲を広くすることが可能な可変波長半導体レーザを実現する。【解決手段】 半導体レーザ構造の一部の温度を変化させることによりレーザ出力光の発振波長を変化させる可変波長半導体レーザにおいて、注入された電流によりレーザ光を発生させる活性領域と、レーザ光が伝播すると共に供給される電力により温度が制御される可変波長領域とから構成される可変波長半導体レーザチップを備え、高熱伝導率の誘電体上に前記活性領域が、低熱伝導率の誘電体上に前記可変波長領域が位置するようにボンディングする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ構造の一部の温度を変化させることによりレーザ出力光の発振波長を変化させる可変波長半導体レーザにおいて、注入された電流によりレーザ光を発生させる活性領域と、前記レーザ光が伝播すると共に供給される電力により温度が制御される可変波長領域とから構成される可変波長半導体レーザチップを備え、高熱伝導率の誘電体上に前記活性領域が、低熱伝導率の誘電体上に前記可変波長領域が位置するようにボンディングされたことを特徴とする可変波長半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-254568   出願人：アンリツ株式会社