特許
J-GLOBAL ID：200903022891280385
ドライエッチングの後処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326127
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151389
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、塩素を含むエッチングガスによるドライエッチング後に、ウエハ処理雰囲気を清浄に保った状態でアフターコロージョンを防止することを可能にする。【構成】 塩素を含むエッチングガスを用いてAlまたはAl合金をドライエッチングした後、チェンバー内にNH3 を含まないガスの供給期間Ten中に放電を発生させ、その後放電期間Td1中に、チェンバー内にNH3 ガスを供給する。そして放電期間Td1中に、NH3 ガスの供給を停止する方法である。あるいはNH3 を含まないガスのかわりにOとHとより組成されるガスを含まないガスを用い、NH3 のかわりにOとHとより組成されるガスを用いる。
請求項（抜粋）：
塩素を含むエッチングガスを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッチングした後、チェンバー内にアンモニアを含まないガスを供給して放電を発生させ、その後放電中に、前記チェンバー内にアンモニアガスを供給することを特徴とするドライエッチングの後処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 104
, C23F 4/00
