特許

J-GLOBAL ID：200903022893329705

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 直樹 ,  松岡 秀行 ,  武田 健一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037300
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233505
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 単体金属からなるゲート電極と同程度に低抵抗で、かつ多結晶シリコンゲート電極で問題となる燐などの含有不純物による特性劣化などの問題がない安定性の高いMOS特性を持つ半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、半導体基板の表面上にゲート酸化膜3を形成する工程と、前記ゲート酸化膜3の表面上に、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブ、バナジウムなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属および金属窒化物の複合物でゲート電極4を形成する工程と、その後、熱処理を施す工程を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜の表面上に、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブ、バナジウムなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属および金属窒化物の複合物でゲート電極を形成する工程と、その後、熱処理を施す工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371