特許

J-GLOBAL ID：200903022895811261

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 常包 正樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104522
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】高出力動作可能な半導体レーザ素子を歩留り良く製造する。【構成】量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子の発光点を含む相対する共振器面にSiを含有する誘電体膜を形成した後、800°C以上の高温に保持して、Siを含有する誘電体膜より拡散したSiによって発光点を含む端面近傍の量子井戸を無秩序化し、無秩序化された端面近傍の活性層が、無秩序化していないレーザ素子の端面近傍を除く中央部の活性層に比べ実効的に大きなバンドギャップを有する半導体レーザ素子を製造する。

請求項（抜粋）：

量子井戸を活性層として含む半導体多層構造を形成した後、へき開あるいはエッチングにより半導体多層構造両端に共振器端面を形成し、この共振器端面にSiを含有する誘電体膜を形成した後、800°C以上の高温に保持し、Siを含有する誘電体膜より拡散したSiによって共振器端面近傍の量子井戸を無秩序化することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。