特許

J-GLOBAL ID：200903022897016078

II-VI族化合物半導体素子用電極及びその形成方法

発明者： 上村 卓 ,  上羽 良信
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-281996
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126003
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体素子のp型II-VI族化合物半導体層との接触抵抗を低減させ、界面のエネルギー障壁の小さなp型電極及びその形成方法を提供しようとするものである。【解決手段】 II-VI族化合物半導体層上に設ける電極において、V,W,Mo,Cr,Fe,Ru及びReの群から選択される1つ以上の元素の酸化物で構成したII-VI族化合物半導体素子用電極である。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体素子に用いる電極において、該電極をV,W,Mo,Cr,Fe,Ru及びReの群から選択される1つ以上の元素の酸化物で構成したことを特徴とするII-VI族化合物半導体素子用電極。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/28 301 B