特許
J-GLOBAL ID：200903022899198769
微小半導体素子の加工処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-169466
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014956
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】厚さ100μm以下、大きさ1mm角以下といった微小な半導体素子を容易に加工可能とし、半導体素子をピックアップして電子部品等に搭載するといった操作を容易に行うことを可能にする。【解決手段】半導体ウエハ10を、回路面を接着面側とし保護フィルム22を介して支持板20に接着する工程と、半導体素子を所定の厚さにまで薄加工する工程と、半導体ウエハを個片化する工程と、前記保護フィルムの接着性を失わせる処理を施した後、保護フィルム22から半導体素子10aを剥がしながら剥離フィルム26に半導体素子を接着させて移しかえる工程と、剥離フィルムの周縁を支持リング28に支持し、剥離フィルムの接着性を失わせる処理を施した後、剥離フィルムの下面側から突き上げピン30により剥離フィルム26とともに半導体素子10aを個々に突き上げ、突き上げられた半導体素子を、ピックアップ装置によってピックアップする工程とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを、回路面を接着面側とし保護フィルムを介して支持板に接着する工程と、
半導体ウエハを支持板に支持して半導体素子を所定の厚さにまで薄加工する工程と、
半導体ウエハを保護フィルムに接着した状態で半導体ウエハを個々の半導体素子に個片化する工程と、
前記保護フィルムの接着性を失わせる処理を施した後、半導体素子の研磨面側に、接着性を有する剥離フィルムを保護フィルムに支持されている半導体素子の全体にわたって貼着し、保護フィルムから半導体素子を剥がしながら剥離フィルムに半導体素子を接着させて移しかえる工程と、
前記剥離フィルムの周縁を支持リングに支持し、剥離フィルムの接着性を失わせる処理を施した後、剥離フィルムの下面側から突き上げピンにより剥離フィルムとともに半導体素子を個々に突き上げ、突き上げられた半導体素子を、ピックアップ装置によってピックアップする工程とを備えることを特徴とする微小半導体素子の加工処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/52
, H01L21/301
, H01L21/304
H01L21/52 F
, H01L21/304 621B
, H01L21/78 Q
