特許
J-GLOBAL ID：200903022899976320
低酸素窒化けい素スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071808
公開番号（公開出願番号）：特開平7-278805
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は酸素含有量が低いことから、このスパッタリングで得られる窒化けい素薄膜を酸素含有量の少ないものとすることができる、低酸素窒化けい素スパッタリングターゲット製造方法の提供を目的とするものである。【構成】 本発明の低酸素窒化けい素スパッタリングターゲットの製造方法は、金属けい素粉末を有機バインダーで造粒後プレス成形し、乾燥後1torr以下の減圧下において 1,250〜 1,350°Cで1時間以上加熱処理し、ついでこれを窒素ガス中または窒素と水素との混合ガス中において 1,350〜 1,700°Cで窒化することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
金属けい素粉末を有機バインダーで造粒後プレス成形し、乾燥後1torr以下の減圧下において 1,250〜 1,350°Cで1時間以上加熱処理し、ついでこれを窒素ガス中または窒素と水素との混合ガス中において 1,350〜 1,700°Cで窒化することを特徴とする低酸素窒化けい素からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
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