ゲッタリング処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335656
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体集積回路製造工程中に混入する重金属不純物を取り除く熱処理方法を提供する。【構成】半導体デバイス製造工程において、800°Cから750°C超790°C以下までの温度域を0.1°C/分から1.0°C/分の冷却速度、800°Cから700°C超750°C以下の温度域を0.1°C/分から2.0°C/分の冷却速度、または800°Cから600°C以上700°C以下の温度域を0.1°C/分から3.0°C/分の冷却速度で熱処理を行うゲッタリング処理法。【効果】ゲッタリング熱処理を行うことにより、従来ゲッタリング効果の弱い鉄に代表される拡散の遅い元素に対しても有効的にゲッタリングできる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造工程において、800°C以上の熱処理後、800°Cから750°C超790°C以下までの温度域を0.1°C/分から1.0°C/分の冷却速度で冷却するゲッタリング処理方法。

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