特許

J-GLOBAL ID：200903022904122482

半導体レーザ

発明者： 近藤 正彦 ,  丹羽 敦子 ,  魚見 和久 ,  佐川 みすず
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195522
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ΔEcが十分に大きい材料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 n-GaP基板1、n-GaPクラッド層2、光ガイド層3、5及びGaNAs量子井戸層4から構成される単一量子井戸活性層6、p-GaPクラッド層7により構成されている。【効果】 本発明により、25°Cから85°Cの範囲におけるToが100Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レーザを提供することができる。

請求項（抜粋）：

GaPまたはSi基板上に光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、温度特性を示すToが100K以上であることを特徴とする半導体レーザ。