特許
J-GLOBAL ID：200903022914656817
透過電子顕微鏡用試料の作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332760
公開番号（公開出願番号）：特開平6-180277
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の特定箇所の透過電子顕微鏡用試料を簡単に作成する。【構成】 半導体装置10に導電性レジスト5を塗布し、半導体装置の特定箇所7に電子ビーム6を照射し、半導体装置上の導電性レジスト5を現像して細線パターン8を形成し、半導体装置10を細線パターン8をマスクにして異方性エッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体装置に導電性レジストを塗布する工程と、前記半導体装置の特定箇所に電子ビームを照射する工程と、前記半導体装置上の導電性レジストを現像して前記特定箇所に細線パターンを形成する工程と、前記半導体装置を前記細線パターンをマスクにして異方性エッチングによりエッチングする工程とを含む透過電子顕微鏡用試料の作成方法。
IPC (2件)：
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