特許
J-GLOBAL ID：200903022920700020
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235017
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】ベース層を選択的エピタキシャル成長によって形成する自己整合バイポーラトランジスタで、真性ベースと電極ポリシリコンとの接触抵抗を低減する。【構成】ひさし状の構造を有するベース電極用多結晶シリコン層8の開口側壁下部及び下面から真性ベース引き出し用多結晶シリコン層13を選択的に成長させ、真性ベース層12と接続させることにより、充分に広い接触面積を確保する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の第一のシリコン単結晶基板の表面に設けられた第一の絶縁膜に選択的に第一の開口が形成され、この第一の絶縁膜上に第2の導電型の第一の多結晶シリコン膜が設けられ、かつこの第一の多結晶シリコン膜は前記第一の開口の全周囲から一定の長さで開口部内上へ延びた水平方向のせり出しを有し、前記第一の開口内の前記第一のシリコン単結晶基板表面上には第2の導電型の第二のシリコン単結晶膜が設けられ、前記第2の導電型の第一の多結晶シリコン膜のせり出し側面下部から開口中央方向へかつ前記せり出しの底面から下方へと第2の導電型の第二の多結晶シリコン膜が設けられ、これらの第二の多結晶シリコン膜と第二のシリコン単結晶膜の領域が前記第一の絶縁膜開口段差の途中で互いに接続されており、前記第一の多結晶シリコン膜の表面に第二の絶縁膜、及び前記開口内側面に第三の絶縁膜が形成され、前記第二のシリコン単結晶膜表面に前記第一の開口端から一定の距離で縮小された前記第三の絶縁膜で形成される第二の開口を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
